首先發(fā)生在極不均勻電場中的放電現(xiàn)象是電暈放電，電暈放電進一步發(fā)展成先導放電，先導放電繼續(xù)發(fā)展形成主放電。在極不均勻場中，當電壓高到一定程度后，在氣體間隙完全擊穿前，大曲率電極附近有薄薄的發(fā)光層，這種放電現(xiàn)象定義為電暈。如果加在SF6氣體間隙上的電壓過大，一旦場強集中處的場強高于臨界場強，放電機理就會出現(xiàn)變化，放電由湯姆遜形式過渡到流注放電形式。在電場作用下，SF6氣體中的電子在奔向陽極的過程中不斷發(fā)生碰撞電離，產(chǎn)生電子崩。電子崩的電離過程集中于頭部，導致其頭部電荷密度很大，電離過程強烈，當電子崩發(fā)展到一定程度時，電子崩形成的空間電荷的電場將大大增強，致使合成電場發(fā)生明顯的畸變，崩頭將放射出大量光子。崩頭前后的電場明顯增強，促進激勵現(xiàn)象的發(fā)生，產(chǎn)生更多的分子和離子。分子和離子慢慢會從激勵狀態(tài)恢復到正常狀態(tài)，在這個過程中會有光子被放射出來。由于電子崩內(nèi)的正、負電荷區(qū)域之間的電場受到削弱，這大大促進了復合過程的發(fā)生，同時也使得更多的光子被放射出來。如果外加電場足夠大，達到了擊穿場強，電子崩頭部就會形成流注放電。
當間隙距離較長時，會存在某種新的、不同性質(zhì)的放電過程，即先導放電。要發(fā)生先導放電，首先要產(chǎn)生流注電暈，流注進而形成先導，先導不斷發(fā)展最后導致?lián)舸．敺烹姲l(fā)展到一定長度時，由于場強低于臨界電場強度，放電的發(fā)展會暫停。在此期間，放電通道內(nèi)累積的電子迅速附著在SF6分子上，正、負電荷分開，正負空間電荷由此形成。此時，在SF6氣體內(nèi)會有兩種運動發(fā)生，根據(jù)其帶來的不同影響可分別用莖先導機理和前驅(qū)機理來描述。流注形成先導后，先導的頭部會產(chǎn)生新的流注電暈，此流注在原來先導的基礎(chǔ)上又會發(fā)展成一段新的先導，新先導的頭部又產(chǎn)生了流注電暈，如此多次重復這個過程，先導就會不斷向前推進，最終導致?lián)舸?br />
莖先導機理與前驅(qū)機理描述的是流注電暈發(fā)展成先導的過程，也是這個放電過程的關(guān)鍵部分。當形成流注電暈后，可用莖先導機理來解釋電暈電流繼續(xù)向流注區(qū)帶來新能量的原因。流注通道中的電子被陽極吸引，當電子的濃度足夠高時，電流足夠大時，流注通道中就開始熱電離。熱電離致使通道中帶點質(zhì)點濃度的進一步增大，故先導增加、電流繼續(xù)加大。流注通道變成了有高電導的等離子通道，這時在其頭部又會產(chǎn)生新的流注，使得先導一步步向前發(fā)展。
前驅(qū)機理過程是指帶正電荷的離子和帶負電荷的離子分別向兩個相反的方向漂移，從而發(fā)生先導。在強電負性氣體內(nèi)，放電端的正極和負極均可能發(fā)生前驅(qū)機理過程。前驅(qū)先導的發(fā)生是由于流注產(chǎn)生的離子受到電場的作用發(fā)生空間極化，大大增強了流注前方電場，等達到臨界場強時就形成了前驅(qū)先導。當空間電場極化越來越嚴重時會對放電產(chǎn)生屏蔽作用，因為這種屏蔽作用放電會受到一定抑制，然后由于流注根部溫度升高，出現(xiàn)了熱電離過程。熱電離引起通道中帶電質(zhì)點濃度的進一步增大，同時空間電荷發(fā)生擴散和漂移，減弱了屏蔽，流注前方電場再次被加強，當電場又一次達到臨界場強的時候，再次發(fā)生前驅(qū)先導。前驅(qū)區(qū)域在非均勻電場中的區(qū)域很小，這就意味著在非均勻電場中，前驅(qū)形成時候的區(qū)域邊緣電場只有很低的強度，所以前驅(qū)發(fā)生時的能量損失也很小，同時前驅(qū)區(qū)域內(nèi)的空間電荷分布的比較集中，能量也比較集中。
以上是對SF6氣體中整個放電過程從最初積累，到接下來發(fā)展，到最后產(chǎn)生局部放電的整個過程做出的分析，包括電暈、流注、先導放電、擊穿放電、莖先機理以及前驅(qū)機理。在GIS設(shè)備中提到局部放電，主要指的是完全擊穿之前所發(fā)生的一些局部放電現(xiàn)象，包括電暈、流注及先導。雖然很多時候先導放電并沒有造成電極與電極之間的完全擊穿，但是局部放電會誘發(fā)GIS設(shè)備內(nèi)部絕緣缺陷，并使得絕緣缺陷發(fā)展和進一步惡化。所以，研究GIS內(nèi)部絕緣缺陷引起的局部放電對于保證GIS的安全運行具有十分重要的意義。
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